Китайська EUV-літографія перебуває приблизно на рівні ASML 2004 року — аналітик

Аналітик UBS Франсуа-Ксав’є Бувіньї оцінив китайські розробки в екстремальній ультрафіолетовій літографії приблизно на рівні, де ASML перебувала у 2004 році. Це не точне вимірювання технологічного відставання в роках, а аналітична аналогія: країна створює складові паралельної екосистеми, але ще не продемонструвала серійного інструмента з параметрами та надійністю сучасної фабрики.

Літографічний сканер переносить надзвичайно дрібний рисунок на пластину, однак роздільна здатність — лише частина задачі. Машина повинна точно суміщати десятки шарів, утримувати фокус, забезпечувати однакові критичні розміри, низьку шорсткість країв і передбачувану кількість дефектів. Одночасно потрібні висока швидкість обробки пластин та тривалий час безвідмовної роботи.

Саме поєднання всіх вимог робить літографію одним із найважчих елементів виробництва чипів. Прототип може надрукувати корисну структуру, але бути непридатним для фабрики через низьку продуктивність, нестабільність або часте обслуговування. Висока роздільна здатність за швидкості одна пластина на годину не дозволяє економічно випускати мільйони процесорів.

Китайські компанії вже мають сильні позиції в окремому обладнанні для осадження, очищення, травлення, окиснення та дифузії. Серед них називають ACM Research, AMEC і Naura. Найскладнішим відсутнім елементом залишається конкурентний сканер для сучасних техпроцесів. У галузі комерційної літографії глобально збереглися ASML, Canon і Nikon, а серійні EUV-системи постачає лише ASML.

Основним китайським виробником вважають SMEE. Компанія нібито представила immersion DUV-систему SSA/800-10W із можливістю працювати з нормами до 28 нм ще у 2023 році. Проте немає відкритого підтвердження масових поставок і використання на серійному виробництві. Заява про параметри моделі не дорівнює кваліфікованому процесу на фабриці.

Кваліфікація нового сканера починається з інженерних пластин. Фабрика порівнює його з наявними машинами, розробляє рецепти, вимірює накладання шарів та повертає виробнику список проблем. За оцінкою джерела, первинна робота може тривати близько року. Ще щонайменше рік потрібен для перевірки кількох машин і одного шару, а інтеграція в повний маршрут займає довше.

Тому припущення про масове застосування протягом двох–п’яти років залишається сценарієм, а не гарантією. Непрямими доказами прогресу були б закупівлі компонентів, записи про приймання обладнання, вакансії, наукові роботи й результати процесної кваліфікації. Поки їх недостатньо, повідомлення про прориви потрібно відокремлювати від перевірених серійних можливостей.

EUV додатково потребує потужного джерела випромінювання, надточних дзеркал, вакуумної системи, масок, резистів, метрології та програмної корекції. Розробка однієї центральної машини без ланцюга постачальників не забезпечує виробництво. Експортні обмеження стимулюють локалізацію, але водночас ускладнюють доступ до компонентів і досвіду, які інші учасники накопичували десятиліттями.

Відставання в обладнанні не означає відсутності сучасних китайських чипів. Фабрики можуть використовувати імпортовані раніше DUV-системи, багаторазове експонування й оптимізований дизайн. Це дозволяє наближатися до тонших норм, але збільшує кількість кроків, ризик дефектів і собівартість. Власний серійний immersion DUV уже був би стратегічним результатом, навіть до повноцінної EUV.

Найважливіший критерій на майбутнє — не гучність анонсу, а кількість прийнятих фабриками машин, пластин на годину, доступність, точність суміщення та вихід придатних чипів. Оцінка UBS підкреслює масштаб роботи, що залишилася. Китай інвестує в екосистему й може скорочувати розрив, але відкриті дані поки не підтверджують рівність із сучасними системами західних виробників.