HARDW / НОВИНИУкраїнською про комп’ютерне залізо, гаджети, бенчмарки та технології
HARDWзалізо. чесні цифри. ⌕

Micron показала серверний модуль DDR5 на 512 ГБ зі швидкістю до 9200 МТ/с

Один RDIMM використовує вертикально складені кристали з TSV і дозволяє встановити до 12 ТБ RAM у двосокетний сервер із 24 слотами. Серійне виробництво очікується у другій половині 2027 року.

Серверний модуль оперативної пам’яті Micron DDR5 RDIMM місткістю 512 ГБ
Серверний модуль оперативної пам’яті Micron DDR5 RDIMM місткістю 512 ГБ

Micron продемонструвала серверний модуль DDR5 RDIMM місткістю 512 ГБ, здатний працювати зі швидкістю до 9200 МТ/с. Компанія називає його першим таким модулем, показаним на кількох серверних платформах, а AMD та Intel уже беруть участь у валідації. Це не продукт для звичайного настільного ПК: RDIMM призначений для майбутніх серверів, які підтримують відповідну електричну топологію, BIOS і обсяг пам’яті. Масове виробництво Micron очікує лише у другій половині 2027 року.

Велика місткість стала можливою завдяки вертикальному складанню кристалів DRAM і наскрізним кремнієвим переходам TSV. Такі переходи з’єднують шари короткими вертикальними каналами, зменшуючи шлях сигналу порівняно з менш щільним розміщенням. У двосокетному сервері з 24 слотами теоретично можна отримати 12 ТБ DDR5 — достатньо, щоб утримувати великі набори даних, кеші, бази або кілька віртуальних машин без постійного звернення до накопичувача. Реальна конфігурація залежатиме від сертифікації платформи.

Виробник пов’язує новинку з великими мовними моделями, агентним AI, інференсом у реальному часі, аналітикою та високоядерними CPU. Коли робочий набір повністю вміщується в оперативній пам’яті, система менше переміщує дані між DRAM і повільнішими рівнями зберігання. Проте 512 ГБ на модуль не усувають інших вузьких місць: потрібна достатня кількість каналів, пропускна здатність між процесорами, оптимізоване ПЗ та прискорювачі. Великий обсяг без правильного розподілу NUMA може навіть ускладнювати прогнозовану продуктивність.

Micron заявляє, що один 512-гігабайтний RDIMM споживає більш ніж на 60% менше енергії, ніж чотири модулі по 128 ГБ. Це порівняння виробника стосується однакової сумарної місткості, але методику, платформи й режим навантаження треба оцінювати в технічній документації. Економія слотів дозволяє нарощувати пам’ять без більшої кількості модулів, а отже зменшувати електричне навантаження каналів. Для дата-центру різниця у ватах масштабується на тисячі серверів і впливає також на охолодження.

Для аналітики Spark SVM компанія наводить до 1,4 раза вищу продуктивність порівняно з конфігураціями DDR5 на 256 ГБ. Також згадуються RocksDB і Redis, де більший резидентний набір може підвищити пропускну здатність та паралельність. Ці числа є результатами Micron, а не незалежною універсальною оцінкою. Вони залежать від розміру даних, числа модулів, швидкості CPU та налаштувань застосунка, тому не можуть бути автоматично перенесені на будь-яку базу чи AI-модель.

До 2027 року специфікації серверних платформ і ціни пам’яті можуть змінитися. В оголошенні немає вартості, затримок, TBW тут не застосовується, але важливими будуть ресурс, ECC, RAS-функції та умови гарантії. Головне досягнення Micron — поєднання високої щільності з 9200 МТ/с, а не просто рекордний обсяг. Для підприємств практичне рішення прийматиметься після завершення валідації AMD та Intel, тестів на реальних навантаженнях і розрахунку вартості одного терабайта пам’яті в сервері.

Першоджерело

Матеріал підготовлений редакцією HARDW на основі публікації TechPowerUp.

Відкрити оригінал на TechPowerUp ↗