Micron показала серверний модуль DDR5 на 512 ГБ зі швидкістю до 9200 МТ/с
Один RDIMM використовує вертикально складені кристали з TSV і дозволяє встановити до 12 ТБ RAM у двосокетний сервер із 24 слотами. Серійне виробництво очікується у другій половині 2027 року.

Micron продемонструвала серверний модуль DDR5 RDIMM місткістю 512 ГБ, здатний працювати зі швидкістю до 9200 МТ/с. Компанія називає його першим таким модулем, показаним на кількох серверних платформах, а AMD та Intel уже беруть участь у валідації. Це не продукт для звичайного настільного ПК: RDIMM призначений для майбутніх серверів, які підтримують відповідну електричну топологію, BIOS і обсяг пам’яті. Масове виробництво Micron очікує лише у другій половині 2027 року.
Велика місткість стала можливою завдяки вертикальному складанню кристалів DRAM і наскрізним кремнієвим переходам TSV. Такі переходи з’єднують шари короткими вертикальними каналами, зменшуючи шлях сигналу порівняно з менш щільним розміщенням. У двосокетному сервері з 24 слотами теоретично можна отримати 12 ТБ DDR5 — достатньо, щоб утримувати великі набори даних, кеші, бази або кілька віртуальних машин без постійного звернення до накопичувача. Реальна конфігурація залежатиме від сертифікації платформи.
Виробник пов’язує новинку з великими мовними моделями, агентним AI, інференсом у реальному часі, аналітикою та високоядерними CPU. Коли робочий набір повністю вміщується в оперативній пам’яті, система менше переміщує дані між DRAM і повільнішими рівнями зберігання. Проте 512 ГБ на модуль не усувають інших вузьких місць: потрібна достатня кількість каналів, пропускна здатність між процесорами, оптимізоване ПЗ та прискорювачі. Великий обсяг без правильного розподілу NUMA може навіть ускладнювати прогнозовану продуктивність.
Micron заявляє, що один 512-гігабайтний RDIMM споживає більш ніж на 60% менше енергії, ніж чотири модулі по 128 ГБ. Це порівняння виробника стосується однакової сумарної місткості, але методику, платформи й режим навантаження треба оцінювати в технічній документації. Економія слотів дозволяє нарощувати пам’ять без більшої кількості модулів, а отже зменшувати електричне навантаження каналів. Для дата-центру різниця у ватах масштабується на тисячі серверів і впливає також на охолодження.
Для аналітики Spark SVM компанія наводить до 1,4 раза вищу продуктивність порівняно з конфігураціями DDR5 на 256 ГБ. Також згадуються RocksDB і Redis, де більший резидентний набір може підвищити пропускну здатність та паралельність. Ці числа є результатами Micron, а не незалежною універсальною оцінкою. Вони залежать від розміру даних, числа модулів, швидкості CPU та налаштувань застосунка, тому не можуть бути автоматично перенесені на будь-яку базу чи AI-модель.
До 2027 року специфікації серверних платформ і ціни пам’яті можуть змінитися. В оголошенні немає вартості, затримок, TBW тут не застосовується, але важливими будуть ресурс, ECC, RAS-функції та умови гарантії. Головне досягнення Micron — поєднання високої щільності з 9200 МТ/с, а не просто рекордний обсяг. Для підприємств практичне рішення прийматиметься після завершення валідації AMD та Intel, тестів на реальних навантаженнях і розрахунку вартості одного терабайта пам’яті в сервері.
Матеріал підготовлений редакцією HARDW на основі публікації TechPowerUp.
Відкрити оригінал на TechPowerUp ↗




